技术编号：19311889
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及相变存储材料领域，具体涉及一种碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法。背景技术锗锑碲材料拥有随环境温度改变，其晶态与非晶态间可实现快速可逆转换的性能，使其成为相变记忆器件最重要的组成之一。相比其他相变存储材料，锗锑碲具有优良的热稳定性、高的结晶速率和长的持久性等使其成为目前被广泛使用的相变存储材料之一。然而相转变过程中，较高热阀值的需要，成为锗锑碲薄膜存储密度进一步提升的瓶颈。研究(1、borisenkokb,cheny,cockaynedjh,etal.understandingatomic...
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