技术编号：19312209
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光探测技术领域，更具体地，涉及一种二维三硫化二铟耦合碲量子点复合材料及其制备方法和应用。背景技术物理气相沉积法：采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。化学气相沉积(cvd)：是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室...
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