技术编号:19316884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造设备领域,特别是涉及一种激光剥离集成化设备。背景技术二十世纪末,为了实现高频、高效率及大功率等优异性能电子电力器件的制备,以氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料加快了发展进程。氮化镓(gan)由于其优异性能,可应用于制备高功率高频器件等其它特殊条件下工作的半导体器件而得到广泛研究与应用。氮化镓(gan)外延层的晶体质量是实现高性能氮化镓(gan)基器件的根本保障。而采用氮化镓(gan)单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓(gan)外延层晶体质量与氮化镓(gan)基器件的主要途径。...
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