技术编号:19353338
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种直径8英寸及以上尺寸高质量sic籽晶的制备方法,属于晶体生长技术领域。背景技术sic作为典型的第三代半导体材料,具有宽禁带、热导率高、击穿电场强、电子饱和速率高等优异的物理性能,是制备电力电子器件、高频微波器件、光电子器件的理想材料。目前,sic衬底直径以4英寸、6英寸为主,随着sic基器件的逐步推广应用,为了降低器件制备成本,需要更大尺寸的sic衬底。以6英寸sic衬底为例,使用6英寸sic衬底相对于直径为4英寸sic衬底能够节省大约30%的器件制备成本。此外为了提高器件制作良率...
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