技术编号：19389911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种半导体切割用激光裂片装置。背景技术目前，碳化硅片生产通常采用多线切割将碳化硅棒切割成碳化硅片，多线切割基本原理为：绕在两个主辊线槽内的钢丝在放、收线筒的带动下对碳化硅棒进行高速磨削运动。在切割过程中需要对金刚线喷洒含砂的新浆，流量要随着晶棒的形状改变而改变，以此保证碳化硅片的表面质量。多线切割具有以下缺陷：(1)由于碳化硅硬度大，切割时间需要很长，4寸碳化硅棒切割需要二十四个小时左右。(2)原材料切割间隙损耗过大，切割一片需要消耗两片的原材料，造成...
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