技术编号:1939493
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及丝网印刷制备复合纳米SiC薄膜用的浆料,尤其是纳米复 合SiC浆料及其制备方法。背景技术SiC是Si和C唯一稳定的化合物。SiC晶体的机械性能仅次于纳米 SiC晶体。其抗腐蚀性非常强,在1500°C以下几乎不受作用于任何实验 溶剂。常压下不能将其融化,大于2100。C时升华,分解为Si和C蒸汽。 35个大气压下,2830°C时发现SiC的转熔点。SiC的饱和电子漂移速度 是Si的2倍,其介电常数仅高于纳米SiC晶体,略高于GaN,均低于Si 和G...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。