技术编号:1939685
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及燃烧合成技术和以该方法制备氮化铝陶瓷粉末,具体为低含氧量氮化铝陶瓷粉末制备方法。随着电子技术的迅速发展,集成电路的高速化,高集成化和电子器件的微型化,致使单位体积内电路工作过程所产生的热量大大增加,这就要求基片材料具有优良的传热性能和电绝缘性能。理论上,AIN的热导率可达320W m-1.K-1,是传统基片材料氧化铝10-15倍。AIN电绝缘性能好,介电损耗低,热化学稳定性好,与硅(Si)的热膨胀系数相近等,是大规模集成电路、半导体模块和大功率器...
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