技术编号:1939762
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高纯度。 背景技术将使用氮化物半导体的蓝色发光二极管的开发作为契机, 对发光二极管的性能提高的要求正急速增加。现在,作为使蓝 色系的光发光的发光二极管或半导体激光材料优选使用氮化镓(GaN),但重要的是即便在GaN元件中也要进一步提高其性能。通常为了得到具有发光功率高,发光波长的色散小的优异 的元件性能的氮化物半导体元件,寻求构成元件的氮化物结晶 本身的高品质化是重要的。以往,氮化物半导体元件是通过在 蓝宝石(sapphire)等的单晶基板上...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。