技术编号:1939891
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及。特别地,本发明涉及可制造具有下述特征的石英玻璃坩埚的,其中,所述石英玻璃坩埚的内表面具有高度平滑性,且当将其用于硅单晶提拉时,可高产率地获得硅单晶。 背景技术 用于半导体装置基板的硅单晶一般用丘克拉尔斯基法(Czochralskimethod,CZ法)制造。CZ法是在硅单晶提拉用石英玻璃坩埚中装填入多晶硅原料,将该硅原料从周围加热使之熔融,使从上方悬吊的晶种与硅的熔融液接触后进行提拉的方法。 以往的石英玻璃坩埚用减压熔融等方法形成。用这种...
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