技术编号:19410565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子产品散热技术领域,具体涉及一种用于igbt模块的散热装置。背景技术igbt(insulatedgatebipolartransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。igbt综合了以上两种器件的优点,不仅驱动功率小,而且饱和压降低,因此广泛地应用于变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。大功率igbt模块的容...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。