技术编号:19410569
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术随着电子产品向小型化、多功能等方向的发展,芯片需要满足越来越高的集成度要求,以及越来越多的功能要求,由此产生了许多新的技术和设计,三维堆叠结构正是这些技术的典型代表。三维堆叠结构是指直接将多个晶圆通过键合的方式堆叠起来,实现在三维方向上的金属互连结构,大大减小金属布线互连距离,提高数据传输速度。而晶圆键合技术正是制造三维堆叠结构的关键技术之一。利用晶圆键合工艺,多个半导体晶圆被键合到一起以形成三维堆叠结构路,可以提供在一个封装...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。