技术编号:19419991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种无机卤化物单晶晶体材料制备方法,特别是涉及一种碘化铯单晶材料制备方法,还涉及一种碘化铯单晶材料尺寸调控方法,应用晶体材料制造技术领域。背景技术包括csi(tl)在内的无机卤化物被广泛应用作为高能粒子和电离辐射探测器的闪烁介质。真空沉积的csi(tl)薄膜第一次是被用于光电转换器里面的x射线成像。在过去的十几年里,数字x射线成像系统发展使用耦合在ccd或者非晶硅探测器阵列中的真空沉积csi(tl)层。在先进的数字x射线成像中csi(tl)闪烁器薄膜因为对x射线辐射的高闪烁效率,高的空...
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