技术编号:1943314
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一个分案申请,原申请的发明名称为“中低温烧结半导体陶瓷的组成和制备方法”,申请号为96106337.8,申请日为1996年6月21日。本发明涉及一种,属材料科学。众所周知,传统的正温度系数陶瓷材料(以下简称PTC材料)主要是指BaTiO3陶瓷,纯BaTiO3是良好的绝缘体,而当在其中掺杂微量的稀土元素(如La、Nb、Sb、Ta等)时,元件的电阻率会降到102Ω·cm以下,并且在120℃附近具有正温度系数(PTC)特性。传统的PTC材料还有(Ba,P...
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