技术编号:1944423
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及溅射靶及氧化物半导体膜。 背景技术由金属复合氧化物形成的氧化物半导体膜具有高移动度性及可见光 透过性,目前正用于液晶显示装置、薄膜电致发光显示装置、电泳方式显 示装置、粉末移动方式显示装置等的开关元件、驱动电路元件等用途中。作为由金属复合氧化物形成的氧化物半导体膜,可列举如由In、 Ga 及Zn的氧化物(IGZO)所形成的氧化物半导体膜。使用IGZO溅射靶成 膜而得的氧化物半导体膜具有移动度比非晶硅膜大的优点,目前备受瞩目 (专利文献1 10)。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。