技术编号:1947521
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是层状钙钛矿型Bi3.15Nd0.85Ti3O12(简称BNdT)铁电薄膜制备方法,特别是在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上择优取向生长的溶胶-凝胶方法。背景技术 随着集成铁电学与半导体集成工艺的发展,CMOS集成工艺的特征尺寸已由深亚微米占主导地位转向纳米尺寸。这样集成铁电学器件单元的面内尺寸也将会小到100nm,这样的尺寸恰好对应着多晶薄膜的晶粒尺寸。晶粒的随机取向会增加铁电单元性能的分散多样性,从而影响整体器件的可靠性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。