技术编号:19482342
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁芯领域,具体涉及一种改变充电方式的高磁通隔磁片。背景技术隔磁片广泛应用于无线充电、近距离无线通讯(nfc)和射频识别(rfid)技术领域,可制成无线充电器中的导磁片、nfc和rfid设备中的隔磁片。目前所使用的隔磁片都是经过高温烧结而成的磁性薄片,但是由于现有的无线通讯的技术愈发成熟,实现远距离的无线充电已经变成可能,但是现有的铁氧体隔磁片已经无法满足要求,即隔磁片无法实现高磁通量,给充电器交感磁场提供回路,造成效率低,另外隔磁片产生的热量无法影响线路主板,使充电器不能正常工作。发明...
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