技术编号:1949018
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多孔氮化硅陶瓷的制备方法,尤其涉及一种基于渗硅氮化制 备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法。背景技术多孔氮化硅具有高耐磨性、高耐应变性和耐损伤性等优异的机械性能, 可以应用于高低温下过滤器、催化剂载体和生物反应器,以及复合材料的增 强相等各个领域中。多孔氮化硅还具有良好的热稳定性、较低的介电常^、 低介电损耗、高耐冲蚀性能,被视为最有希望的新一代透波材料。氮化硅是 强共价键化合物,其自扩散系数很小,致密化所必须的体积扩散及晶界扩散 速度很小,同时它的晶...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。