技术编号:1958647
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氧化铪基陶瓷,尤其是涉及一种二氧化锰掺杂的 氧化铪陶瓷材料及其制备方法。背景技术氧化铪(Hf02)材料在催化技术、氧探测器、高温燃料电池以及氧化 物半导体装置中的栅介质、光导装置中有着广泛的应用潜力。氧化铪(HfOJ 也是一种高温结构陶瓷材料,熔点高达3173K,具有与氧化锆相似的晶体 结构和离子电导性能,但与后者相比,Hf02材料在高温下的相变温度比Zr02 高,因此Hf02材料具有更好的抗热震性能和更高的化学稳定性。在大气环 境下,氧化铪存在...
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