技术编号:1958661
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于多晶硅氢化炉用隔热材料,具体涉及 一种多晶硅氢 化炉用炭/炭隔热屏的制备方法。背景技术目前,生产多晶硅的主要方法为改良西门子法,釆用改良西门子法生产的多晶硅占全球多晶硅总产量的80%以上。在改良西门子法生产多晶硅 过程中,氢化炉为反应产物回收的循环系统的主要设备,即将反应副产物 SiCU与H2反应生成SiHCl3原料进行重新利用。氢化炉中,SiCU与H2的 混合气体在125(TC条件下发生反应,隔热屏为发热元件外部的隔热材料, 也是为上述反应提供...
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