技术编号:19638174
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体领域,尤其涉及一种igbt(insulatedgatebipolartransistor,绝缘栅双极型晶体管)制作方法及igbt。背景技术igbt是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和gtr(gianttransistor,电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。gt...
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