技术编号:19649832
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及单晶培养技术领域,具体涉及一种单晶培养装置。背景技术晶体是指物质内部质点(分子、原子或离子)在三维空间呈周期性重复排列的固体,是物质存在的热力学最稳定状态。晶体材料相对于无定形材料和薄膜材料,由于高的堆积密度、良好的晶体质量与低的晶界等,在电学、光学、磁学等领域展现出优异的应用前景。晶体的物理性质往往由晶体的结构决定,晶体的结构决定于物质分子的堆积关系。想要了解晶体结构需要对晶体进行x射线单晶衍射,通过获得的数据对晶体结构进行解析。在配位化学、金属有机化学、有机化学、无机材料化学、...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。