技术编号:1966645
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于高频介电陶瓷材料的制备,特别涉及一种CaTiO3-CaTiSiO5 的激光合成方法。背景技术近年来随着通讯技术的迅猛发展,对以高频介质陶瓷为基础的电子元件提出了 更高的要求。为了满足电子设备不断对小型化、轻型化、集成化及高可靠性等的要求, 用不同的方法制备具有高介电常数、低介电损耗和低介电温度系数的高频介电陶瓷已 经成为当今研究的热点。CaTiO3-CaTiSiO5是一种优良的高频介电陶瓷,它是由单斜型 CaTiSiO5 (ε 40,tg δ ...
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