技术编号：19677658
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种碳纳米管平行阵列的制备方法。背景技术碳纳米管，又名巴基管，是一种具有特殊结构(径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级，管子两端基本上都封口)的一维量子材料。传统无序网状的碳纳米管薄膜无法利用碳纳米管的一维各向异性，使得载流子在碳纳米管薄膜中的输运过程中的散射几率增大，从而降低了沟道材料的迁移率，对器件性能产生了不利影响。因此，取向高度一致的碳纳米管平行阵列的制备方法是目前研究的热点，现今碳纳米管平行阵列的制备方法通常为基于高度提纯的碳纳米管溶液的自组...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。