技术编号:19685809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件设计及制造工艺领域,特别是指一种半导体存储器件,以及所述半导体存储器件的工艺方法。背景技术如图1所示,是现有半导体存储器件的俯视面结构图,图中包括在第一方向上延伸且平行的多根字线wl,字线是存储管的多晶硅控制栅连接而成,字线wl之间为接触插塞或器件隔离层,与字线垂直的第二方向上是存储器的位线bl,位线bl与字线wl交叉的区域为存储管的结构区域。图中还具有长条形类似于杆状的有源区act,在传统的存储器件结构中,该有源区act一般是选择第一方向或者第二方向,随着技术的进步以及更高...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。