技术编号:1969586
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有低热膨胀的,所述石英玻璃适用于EUV光刻。背景技术在用于半导体器件制造的先进光刻工艺中,将具有较短波长的光源用于曝光。认为向使用远紫外(EUV)的光刻的后续转化是有希望的。因为EUV光刻使用反射光学系统和短波长光源,所以光刻的精度甚至可受到光刻光学系统中的每种部件(例如衬底)的轻微热膨胀的不利影响,所述热膨胀由到达那里的热引起。因此,部件例如反射镜、掩模和平台 (stage)必须用低膨胀的材料制造。已知掺杂二氧化钛的石英玻璃是典型的低膨胀材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。