技术编号：19738268
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微机电系统封装技术领域，特别是一种mems层叠器件微波端口实现的工艺方法。背景技术在射频微系统中，通过三维堆叠的方式集成了有源芯片、无源集成器件（ipd）、体声波器件（fbar）以及微机电系统（mems）传感器等多领域器件或芯片。其中测试端口的引出一般是利用抽头的方式通过硅通孔（tsv）引至顶层或者底层衬底，然后通过表贴或者金丝引线的方式完成芯片/器件间互联或者封装，其制造工艺复杂，难度大。mems传感器包括了很多能实现不同功能的可动结构，并且在三维堆叠中采用了大量的腔体结构，超薄的腔...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。