技术编号:19747655
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器处理技术领域,特别是涉及一种非易失存储器处理方法及装置。背景技术随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展,非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器nand闪存(nandflashmemory)为例,nand存储器由多个存储单元(cell)组成,nand存储器通过对cell进行读写擦除操作来存储数据。现有技术中,对非易失存储器通常会设置检测单元对存储单元进行写操作,写数据(program,pgm)之前所有cell均会被擦除,擦除之后cell中为数据“1”,然后进行多次的...
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