技术编号：19748093
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和应用。背景技术金属氧化物薄膜晶体管作为平板显示器的关键器件，由于其具有高迁移率、亚阈值摆幅小、关态电流低、均匀性好等优异的电性能而越来越受到人们的重视，常见的金属氧化物有sno、zno、igzo、in2o3等。虽然in2o3金属氧化物半导体具有良好的薄膜质量，但是纯的in2o3薄膜晶体管存在阈值电压较大，关态电流大、偏置应力稳定性差等问题，这导致in2o3薄膜晶体管无法得到很好的推广应用。发明内容针对目前in2o...
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