技术编号:1976428
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种反应槽装置,特别是涉及一种用于蚀刻设备的反应槽装置。 背景技术在电浆蚀刻制程中,上电极位于玻璃基板的上方,必须要有高电浆电阻,为达到此 目的,现有上电极板的制造方式,是对基板层进行阳极处理,使其表面产生薄薄的一层阳极 膜,例如中国台湾申请案号第88107375号专利案。但是因为电浆蚀刻制程中会存在着氟 (F2)、氯(Cl2)等活性腐蚀气体,当阳极膜遭受到电浆蚀刻制程中的腐蚀气体腐蚀后,上电 极电阻会迅速的降低,容易致使上电极发生电弧现象,...
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