技术编号:19784808
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及新型纳米材料的制备,具体涉及一种多孔球状nio/tio2异质结构纳米材料及其制备方法。背景技术以半导体作为光催化剂的光催化在解决环境和能源问题方面显示出很高的潜力。然而,由于某些限制,光催化效率仍然太低,无法满足实际应用的使用要求,其中nio作为一种p型半导体,由于其在价带和导带之间存在较宽的带宽,带隙为3.5ev,对光的利用率较低,并且产生的光生电子和空穴对易于快速复合。因此提高电荷分离效率可以抑制光生电子和空穴对的复合,从而提高光催化活性。构造异质结,特别是p-n异质结,已被证明是...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。