技术编号：19790118
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电材料应用技术领域，特别涉及一种石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器及制备。背景技术二硫化钼纳米片是继石墨烯之后一种稳定的二维纳米材料。不同于零带隙的石墨烯，二硫化钼具有多层间接带隙和单层直接带隙的特征，对电荷和光照反应敏感，能够用于多级的光电存储器件中。另外，石墨炔是一种新型碳同素异形体，具备独特的结构和电化学性能，目前可通过六炔基笨的交叉偶联反应等方法制备大面积的石墨炔薄膜。石墨炔在能源和催化领域受到广泛关注，但光电信息器件领域应用较少。发明内容本发明的目的就是克服现有技...
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