技术编号:19791241
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于金刚石制备技术领域,具体地指一种金刚石薄膜的制备方法。背景技术多孔材料按孔径大小可分为微孔(孔径小于2nm)、介孔(孔径介于2~50nm之间)和大孔(孔径大于50nm)三种。多级孔材料是指包含了两种及两种以上孔结构的材料。由于其结合了不同孔结构的优点,在催化、吸附和电子器件等方面具有广泛的应用前景。金刚石化学稳定性高、机械强度好,具有其他材料没有的优势,但也因此,制备多孔金刚石材料十分困难。中国专利cn104178745b公开了“一种多孔金刚石或多孔立方碳化硅自支撑膜的制备方法”,其通...
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