技术编号：19804948
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体领域，具体地，涉及一种功率器件及其制造方法以及包括这种功率器件的电子设备。背景技术传统功率器件(例如，vdmos)为了承受高耐压，需降低漂移区掺杂浓度或者增加漂移区厚度，这带来的直接后果是导通电阻急剧增大。为了克服上述问题，超结功率器件(例如，超结mosfet)越来越受到重视。超结mosfet基于电荷补偿原理，使器件的导通电阻与击穿电压呈1.32次方关系，很好地解决了导通电阻和击穿电压之间的矛盾。和传统功率vdmos结构相比，超结mosfet采用多个柱状体区替代传统功率器件中低掺...
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