技术编号:1981579
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请根据35U.S.C.§ 119要求2010年11月24日提交的美国临时专利申请N0.61/417012的优先权,该临时申请的内容通过援引整体包含于此,本申请还根据35U.S.C.§ 120要求2011年11月21日提交的美国申请S/N13/300829的优先权,该申请的内容也通过援引整体包含于此。本公开涉及制造无支撑的半导体材料物品的方法。具体地说,本公开涉及方法,该方法包括提供具有外表面温度Twe和内核温度Ie的模具;提供温度Tsa下的熔融半导体材...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。