技术编号:1986515
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用改良的化学气相沉积法(MCVD)制备光纤预型体的方法,更具体地讲,涉及通过消除加工步骤中产生的折射率下降(indexdip)而制备具有改善的光学特性的光纤的方法。特别是,通过采用这种方法,可以制备能传输数千兆比特的多模光纤而不需其他辅助材料。背景技术 图1a是一个流程图,显示了根据传统的MCVD制备光纤预型体的方法。一般来说,通过沉积步骤100和熔缩步骤200~400来制备光纤预型体。更具体地讲,所述熔缩步骤包括熔缩步骤200、蚀刻步骤300...
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