技术编号:1986562
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于化工,具体涉及ー种高含量PANH4水基氧化铝陶瓷基片及其制备方法。背景技术氧化铝陶瓷基片具有強度高、绝缘性好、性价比高等优点,被广泛应用在电子行业领域,作为电子封装材料、衬底材料、多层电容 器材料以及电子元件材料等。流延成型法因其生产效率高、设备简单、易操作,已成为制备氧化铝陶瓷基片的重要成型方法。通常,流延成型エ艺包括浆料制备、成型、干燥等过程。需要在陶瓷粉料中加入溶齐U、分散剂、粘结剂、塑性剂以及除泡剂等制备出稳定均一的浆料,通过流延机成型得...
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