技术编号:19866598
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于金刚石薄膜制备技术领域,具体涉及一种多孔掺杂类金刚石薄膜制备方法。背景技术金刚石是一种特殊的物质材料,每个碳原子的四个价电子以sp3杂化轨道与周围最近邻的四个原子成键,具有很高的硬度和非常稳定的化学性质。金刚石的半导体特性也十分突出,其晶体结构类型与硅相同,因而可以通过掺杂用作半导体材料。将金刚石沉积到一定的基体材料上,最常见的方法是化学气相沉积法(cvd),包括热丝化学气相沉积、微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)、燃烧火焰法、直流等离子体喷射法等。但是,目前现有技术的化学气象沉积...
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