技术编号:19866607
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺,属于半导体制造领域。背景技术随着大规模集成电路技术的迅猛发展,使用ald原子层沉积的方式生长高k栅介质材料氧化铝al2o3,可有效的降低栅的漏电流。ald可满足单原子层控制的方式生长,精确地控制厚度在埃级或单原子层水平,进行连续的沉积反应过程。温度过高或过低都会降低ald的生长速率,生长al2o3后续还伴随着退火处理,消除界面与膜内应力,然而这种工艺方式生长速率较慢,成本较高。生长氧化铝al2o3薄膜,低温会导致低的生长速率并且不能实现原子层沉积,...
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