技术编号:19867897
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是“申请号为:201810848153.x,申请日为2018年7月27日,名称为:储能薄膜及其制备方法”的发明申请的分案申请。本发明涉及能源领域,特别是涉及薄膜电容器。背景技术传统的储能陶瓷薄膜包括衬底和陶瓷薄膜,通常,增加衬底的表面粗糙度可以增加陶瓷薄膜与衬底的接触面积,提高结合力。并且,衬底作为电极时,其表面粗糙度的增加也可以提高陶瓷薄膜的电容。但是,电极表面粗糙度的增加,反而增加了电极与陶瓷薄膜的接触面处的缺陷浓度,从而降低储能陶瓷薄膜的击穿场强和储能密度,不利于储能性能的提高。因此...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。