技术编号:1986965
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏行业中晶体硅制造工艺,尤其涉及一种准单晶硅锭的切割方法及娃片制造方法。背景技术光伏行业中,用于制造太阳能电池的晶体硅主要有单晶硅和多晶硅两种,利用单晶硅制造电池,电池转换效率高,但是单次投料少,操作复杂,成本高;利用多晶硅制造电池,单次投料大,操作简单,工艺成本低,但是电池转换效率低,电池寿命短。准单晶是介于多晶硅和单晶硅之间的一种材料,采用多晶硅铸锭工艺进行生产而获得的准单晶硅锭,硅锭的中间部分基本为单晶,而边角部分基本为多晶,其外观和电性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。