技术编号:1989366
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及一种半导体薄膜材料及其制备方法,具体地说是。背景技术石墨烯是由单层Sp2杂化碳原子组成的六方点阵蜂窝状二维结构,包含两个等价的子晶格A和B。自2004年底在室温下被成功制备以来,石墨烯由于其卓越的力学、热学、电学、光学等性质,成为被寄予厚望取代Si的半导体候选材料之一。因此,探索低成本的工 艺方法,制备大面积、闻质量、低缺陷的石墨稀,是一个亟需解决的问题。目如,石墨稀有诸多制备方法,譬如机械剥离法、氧化石墨还原法、加热SiC分解法和化...
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