技术编号：19898808
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种具有第iva族离子注入的金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，mosfet)的结构与制造方法，尤指一种栅极氧化层进行氧化前利用第iva族离子注入(implant)改善4h-sic氧化的结构与制造方法。背景技术在先前技术中，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的场效电子迁移率过低(5～10cm2/v·s)一直是碳化硅器件最大的缺点，近年来已经发展出使用氧化后一氧化氮热退火可以让电子迁移率有效提升至...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。