技术编号:19935556
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅异质结太阳电池领域,具体地,本发明涉及硅异质结太阳电池的铜电极的包覆方法。背景技术与常规晶体硅电池不同,非晶硅/晶体硅异质结太阳电池是在晶体硅片衬底上沉积氢化非晶硅发射极形成pn异质结的。由于氢化非晶硅薄膜在温度高于约400℃时会有氢溢出,影响薄膜质量,导致钝化效果显著下降,因此,非晶硅薄膜的形成温度决定了电池的最高制备工艺温度,通常在200℃左右为宜。为了满足这种低温制备的要求,硅异质结太阳电池在金属电极的制备方面,也需要用到低温工艺和低温浆料。目前满足低温制备要求的硅异质结太阳电...
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