技术编号：19949233
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路技术领域，涉及一种9管sram存储单元电路，适用于单端读写阵列结构，在低压下能够提升读写稳定性且具有较低的静态功耗。背景技术近年来，以无线传感网络和医疗电子设备为代表的应用领域对片上系统的功耗和性能要求越来越高，嵌入式静态随机存储器sram是片上系统的关键组成模块之一。降低电源电压是保证sram低功耗的有效手段，但电源电压的降低会带来有关读写稳定性的问题，因此，在一些对于操作频率要求不高的应用中，可以使用单端读写结构从而大幅的降低系统功耗。然而，在低电源电压下，单端结构的写能力...
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