技术编号:20020079
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高效晶体硅太阳电池制造领域,特别是一种用于太阳电池制造的9腔体卧式pecvd-pvd一体化硅片镀膜工艺。背景技术目前,一类先进高效的晶体硅太阳电池是基于非晶硅/晶体硅异质结结构。其生产技术中非常关键的两个步骤是非晶硅基薄膜的沉积(包括本征层和掺杂层,材质为非晶硅、微晶硅、纳米硅、掺氧非晶硅等)以及透明导电氧化物tco层的沉积。比较常用的非晶硅基薄膜的沉积方法是低温化学气相沉积法,包括等离子体化学气相沉积(pecvd)和热丝化学气相沉积(hwcvd)两种;而tco层的制备一般采用pvd法...
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