技术编号:20020093
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的各种方面和实施方式涉及一种阀装置、处理装置、以及控制方法。背景技术作为对半导体晶圆(以下,记载为晶圆)进行成膜的方法,公知有cvd(化学气相沉积,chemicalvapordeposition)法、ald(原子层沉积,atomiclayerdeposition)法等。在cvd法、ald法中,使用作为要层叠的膜的原料的气体,在原料中具有在常温下处于固体、液体的状态的原料。这样的原料通过加热而气化后向晶圆供给。在该情况下,在气化后的原料的供给路径所包含的配管、阀等中,也为了维持气体的状态而被...
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