技术编号:20080352
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请基于并要求2018年8月31日提交的日本专利申请no.2018-163390的优先权,该申请通过引用全部并入本文。本公开涉及垂直腔面发射激光器和用于制造垂直腔面发射激光器的方法。背景技术日本未审查专利申请公开no.2008-108964公开了一种发光二极管。发明内容本公开提供一种垂直腔面发射激光器,包括:有源层,其包括量子阱结构,所述量子阱结构包括一个或多个阱层,所述阱层包括含有铟来作为iii族构成元素的iii-v化合物半导体;上层叠区域,其含有碳掺杂剂;以及基板,其用于...
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