技术编号：20080356
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体激光器制造技术领域，具体涉及一种半导体激光器窄脊条结构的制作方法。背景技术半导体激光器具有体积小、重量轻、省电等优点，在激光打印和印刷、光学测量、机器人与自动控制、美容、医疗及光通信等领域有广泛的应用。为实现单横模光斑的稳定输出，小于4μm甚至更窄(小于2μm)且侧壁垂直的脊条结构是至关重要的。因湿法腐蚀各向同性的特点无法实现垂直的窄脊条结构，满足不了单模光斑输出的激光器要求。icp(电感耦合等离子体)刻蚀具有各向异性的特点，可制作出侧壁垂直的脊条结构。同时，为了提高发光区注入电...
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