技术编号:20081861
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容的实施例涉及三维(3d)存储设备及其制造方法。背景技术通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺,将平面存储单元缩小到更小的尺寸。然而,随着存储单元的特征尺寸接近下限,平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果,平面存储单元的存储密度接近上限。3d存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3d存储器架构包括存储器阵列和用于控制进出存储器阵列的信号的外围设备。发明内容本文公开了具有氢阻挡层的3d存储设备及其制造方法的实施例。在一个示例中,一种3d存储设备包括:衬底;存储叠层,其...
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