技术编号:20081880
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。背景技术背照式(bsi)图像传感器可以减少/避免电路层或氧化层对光线的吸收和反射,因而具有较高的感光度和信噪比。为了提高光子捕集效率,现在许多高性能cmos图像传感器都是背照式(bsi)图像传感器。在bsi工艺技术发展期间,其正遭受串扰问题。主要包括以下几种串扰:光谱串扰、光学串扰和电串扰。其中,光谱串扰由滤色镜的特征引起。光学串扰是由光子穿透诱导到相邻像素引起。在后端堆叠结构中的光子反射或衍射在bsi传感器中得到改善,...
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